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SUM70101EL-GE3 VISHAY (威世)MOSFET P-CH 100V
发布日期:2023-09-09 20:21:31
浏览次数:320
技术参数
耗散功率375 W
上升时间40 ns
输入电容(Ciss)7000pF @50V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375000 mW
封装参数
引脚数3
封装TO-263-3
外形尺寸
封装TO-263-3
物理参数
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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