EEPROM芯片 / EPROM芯片 / Flash芯片 / PROM芯片 / RAM芯片
简介：存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。
| W25Q32JVSSIQ | 存储芯片 W25Q32JVSSIQ 管装 NOR Flash Serial-SPI 3V 32Mbit 32M x 1Bit 8Pin SOIC |
| W25X40CLSNIG | 存储芯片 4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 8ns 8Pin SOIC |
| W25Q80DVSSIG | 存储芯片 8-Mbit(1M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V NOR Flash Serial (SPI， Dual SPI， Quad SPI) 2.5V/3V/3.3V 8M-bit 1M x 8/512K x 16 6ns 8Pin SOIC W |
| FM24CL64B-GTR | 存储芯片 3V，64Kb串行F-RAM存储器 |
| W25Q128JVSIQ | 存储芯片 W25Q128JVSIQ 管装 NOR Flash Serial (SPI， Dual SPI， Quad SPI) 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 8Pin SOIC |
| MT41K128M16JT-125:K | 存储芯片 2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V |
| FM24CL64B-G | 存储芯片 NVRAM FRAM Serial-2Wire 64Kbit 3V/3.3V 8Pin SOIC |
| W25Q16JVSSIQ | 存储芯片 W25Q16JVSSIQ 管装 NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 16M-bit 6ns 8Pin SOIC Tube |
| FM24CL16B-GTR | 存储芯片 FM24CL16B 系列 16Kb 串行 5V F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| AT24C02C-SSHM-T | 微芯 存储芯片 2-Kbit(256 x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| W9825G6KH-6 | 存储芯片 W9825G6KH-6 托盘 |
| FM25V02A-GTR | 存储芯片 256-Kbit(32K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.0V to 3.6V |
| FM25CL64B-G | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25CL64B-G 存储芯片， FRAM， 64K， SPI， 8SOIC |
| AT24C02D-SSHM-T | 微芯 存储芯片 2-Kbit(256 x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 3.6V |
| AT24C64D-SSHM-T | 微芯 存储芯片 64-Kbit(8K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| FM25W256-GTR | 存储芯片 FM25W256 系列 256Kb (32K x 8) 3.3V 表面贴装 SPI F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| MT41K256M16HA-125:E | 存储芯片 MT41K256M16HA-125:E TR 编带 |
| FM25CL64B-GTR | 存储芯片 64Kb，3.65V，SPI串行F-RAM存储器 |
| AT24C04C-SSHM-T | 微芯 存储芯片 4-Kbit(512 x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| W9751G6KB-25 | 存储芯片 512-Mbit(32M x 16bit)，并行接口，工作电压：1.8V±0.1V |
| W25Q64FWSSIG | 存储芯片 W25Q64FWSSIG 停产 Flash Serial-SPI 1.8V 64Mbit 8M x 8Bit 6ns 8Pin SOIC W |
| FM28V100-TG | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM28V100-TG 芯片， 存储器， FRAM， 1MB， 128KX8， 60NS， TSOP32 |
| AT24C02D-XHM-T | 微芯 存储芯片 AT24C02D-XHM-T 编带 |
| FM24CL04B-G | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24CL04B-G 芯片， 存储器， FRAM， 4K， I2C， 8SOIC |
| M48Z18-100PC1 | 存储芯片 STMICROELECTRONICS M48Z18-100PC1 芯片， SRAM， ZEROPOWER? 64K |
| W25X20CLSNIG | 存储芯片 2-Mbit(256K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 2M-bit 256K x 8/128K x 16 8ns 8Pin SOIC |
| FM25W256-G | 存储芯片 NVRAM FRAM Serial-SPI 256Kbit 3.3V/5V 8Pin SOIC |
| FM24CL04B-GTR | 存储芯片 FM24CL04 系列 4Kb (512 x 8) 3V 3us 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| MT41K128M16JT-125 IT:K | 存储芯片 MT41K128M16JT-125 IT:K 编带 DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96Pin FBGA |
| W25X10CLSNIG | 存储芯片 1-Mbit(128K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 1M-bit 128K x 8/64K x 16 8ns 8Pin SOIC |
| M48Z02-70PC1 | 存储芯片 STMICROELECTRONICS M48Z02-70PC1 芯片， 非易失性存储器 10年内部电池供电 16K |
| FM24C04B-G | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24C04B-G 芯片， 存储器， FRAM， 4K， I2C， 8SOIC |
| FM24W256-G | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24W256-G 芯片， 存储器， FRAM， 256K， I2C， 8SOIC |
| FM25L04B-GTR | 存储芯片 4-Kbit (512 x 8)串行(SPI) F-RAM |
| AT24C08C-SSHM-T | 微芯 存储芯片 8-Kbit(1K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| FM25L16B-GTR | 存储芯片 FM25L16B 系列 16Kb (2K x 8) 3.3V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| IS61C1024AL-12JLI | 存储芯片 |
| 24LC32AT-I/MS | 微芯 存储芯片 MSOP - 8/32K 4K X 8 2.5V 串行 卷盘包装 |
| GD25Q32CSIG | 存储芯片 32Mb SPI 引脚兼容W25Q32 Memory: NOR Flash; 32Mbit; Quad I/O， SPI; 120MHz; 2.7÷3.6V; SOP8 |
| 93LC66AT-I/SN | 微芯 存储芯片 93LC66系列 4Kb (512x8) 3V SO-8 Microwire 串行 电可擦除 工业温度 卷盘 |
| W25Q256JVFIQ | 存储芯片 W25Q256JVFIQ 管装 Flash Serial (SPI， Dual SPI， Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8 6ns 16Pin SOIC Tube |
| MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | 存储芯片 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 托盘 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48Pin TSOP-I Tray |
| AT45DB041E-SHN-T | 存储芯片 AT45DB041E-SHN-T 编带 Flash Serial-SPI 1.8V 4M-bit 512K x 8 7ns 8Pin SOIC EIAJ T/R |
| W9812G6KH-6 | 存储芯片 128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V |
| FM24C16B-GTR | 存储芯片 FM24C16B 系列 16kb 串行 5V F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| FM24C04B-GTR | 存储芯片 4KB的串行5V F-RAM存储器 4Kb Serial 5V F-RAM Memory |
| MB85RC64VPNF-G-JNERE1 | 存储芯片 64Kbit铁电存储器 IC FRAM 64Kbit 1MHz 8SOP |
| AT25256B-SSHL-T | 微芯 存储芯片 256-kbit(32K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 5.5V |
| W9864G6KH-6 | 存储芯片 W9864G6KH-6 托盘 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II |
| FM22L16-55-TG | 存储芯片 FM22L16 Series 4Mb (256K x 16) 3V 55ns Parallel F-RAM Memory - TSOP-44 |
| IS61WV5128BLL-10TLI | 存储芯片 4Mb， High-Speed/Low Power， Async， 512K x 8， 8ns/3.3V， or 10ns， 2.4V-3.6V， 44Pin TSOP II， RoHS |
| AT93C46DN-SH-T | 微芯 存储芯片 1-Kbit(128 x 8bit or 64 x 16bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 5.5V |
| FM25V05-GTR | 存储芯片 512Kb串行SPI，3V，F-RAM存储器 |
| W29N02GVSIAA | 存储芯片 2-Gbit(256M x 8bit)，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6V NAND Flash Serial 3V 2Gbit 256M x 8Bit 25ns 48Pin TSOP-I |
| AT25SF161-SSHD-T | 存储芯片 闪存， Standard， 串行NOR， 16Mbit， SPI， WSOIC-8 NOR Flash Serial-SPI 3.3V 16Mbit 16M x 1Bit 8ns 8Pin SOIC T/R |
| FM24W256-GTR | 存储芯片 FM24W 系列 64Kb (8K x 8) 2.7 - 5.5V 3us 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| CY7C1354C-166AXC | 存储芯片 CY7C1354CV25 9Mb (256 Kx36) 166MHz 3.3V 流水线型 NoBL™ SRAM - TQFP-100 |
| 24AA04T-I/SN | 微芯 存储芯片 24AA04 系列 4Kb (512 x 8) 5.5V 表面贴装 I2C 串行 EEPROM- SOIC-8 |
| AT45DB161E-SSHD-T | 存储芯片 AT45DB161E-SSHD-T 编带 AT45DB161E Series 16Mb 85MHz 3.6V SPI Serial Flash Memory - SOIC-8 |
| 25LC256T-E/SN | 微芯 存储芯片 25LC256T系列 2.5V至5.5V 10MHz 256Kb SPI总线 串行电可擦除PROM-SOIC-8 |
| IS61C1024AL-12TLI | 存储芯片 1Mb， High-Speed， Async， 128K x 8， 12ns， 5V， 32Pin TSOP I (8x20mm)， RoHS |
| MT48LC8M16A2P-6A:L | 存储芯片 RAM，Micron Technology### 动态 RAM |
| W25Q128FVFIG | 存储芯片 128-Mbit(16M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 7ns 16Pin SOIC |
| W25Q16JVSNIQ | 存储芯片 W25Q16JVSNIQ 编带 NOR Flash Serial-SPI 3.3V 16Mbit 2M x 8Bit 6ns 8Pin SOIC Tube |
| FM25040B-GTR | 存储芯片 4KB的串行5V F-RAM存储器 4Kb Serial 5V F-RAM Memory |
| AT24C256C-SSHL-B | 微芯 存储芯片 EEPROM， 串行I2C (2-线)， 256Kbit， 32K x 8位， 1MHz， SOIC， 8 引脚 |
| M48Z35Y-70PC1 | 存储芯片 STMICROELECTRONICS M48Z35Y-70PC1 芯片， 非易失性存储器 10年内部电池供电 256K |
| FM25L04B-G | 存储芯片 NVRAM FRAM Serial-SPI 4Kbit 3V/3.3V 8Pin SOIC |
| AT27C512R-45PU | 微芯 存储芯片 AT27C512R 系列 5.5V 512Kb (64K x 8) 70ns EPROM OTP - PDIP-28 |
| FM28V020-SG | 存储芯片 FM28V Series 256KB (32K x 8) 3.3V 70ns Parallel F-RAM Memory - SOIC-28 |
| 25LC128T-I/SN | 微芯 存储芯片 25LC128系列 128Kb (16Kx8) 2.5V SO-8 串行 SPI总线 电可擦除 工业温度 卷盘 |
| FM24C64B-GTR | 存储芯片 64Kb的串行5V F-RAM存储器 64Kb Serial 5V F-RAM Memory |
| 25LC320A-E/SN | 微芯 存储芯片 EEPROM Serial-SPI 32Kbit 4K x 8 3.3V/5V 8Pin SOIC N Tube |
| BQ2201SN-N | 存储芯片 SRAM 非易失控制器，Texas InstrumentsSRAM 非易失控制器提供将标准 CMOS SRAM 转换为非易失性读/写存储器的所有必要功能。### 电池管理，Texas Instruments |
| M93C76-WMN6TP | 存储芯片 M93C76 系列 8Kb (1K x 8 / 512 x 16) 5.5V MICROWIRE® 串行访问 EEPROM |
| FM24C16B-G | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24C16B-G 芯片， 存储器， FRAM， 16K， I2C， 8SOIC |
| FM24V10-G | 存储芯片 FM24V 系列 1M 位 (128K x 8) 3V 450us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| 24AA16T-I/SN | 微芯 存储芯片 24AA16 系列 16Kb (2K x 8) 5.5V 表面贴装 I2C 串行 EEPROM - SOIC-8 |
| AT24C02C-XHM-T | 微芯 存储芯片 2-Kbit(256 x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| FM16W08-SG | 存储芯片 FM16W08 系列 64Kb (8K x 8) 5V 120ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28 |
| 24LC00T/SN | 微芯 存储芯片 24LC00系列 128位 I2C 双线 (16x8位) 2.5V 串行 电可擦除PROM 表面贴装-SOIC-8 |
| AT24C64D-SSHM-B | 微芯 存储芯片 EEPROM， 串行I2C (2-线)， 64Kbit， 8K x 8位， 1MHz， SOIC， 8 引脚 |
| 93LC66BT-I/ST | 微芯 存储芯片 93LC66系列 4Kb (256x16或512x8) 3V TSSOP-8 Microwire 串行 电可擦除 工业温度 |
| AT45DB041E-SSHN-T | 存储芯片 AT45DB041E 1.65V 4-Mb 85MHz 数据闪存 SPI 串行 闪存 - SOIC-8 Flash Serial 1.8V/2.5V/3.3V 4Mbit 4M x 1Bit 8Pin SOIC T/R |
| FM28V020-SGTR | 存储芯片 FM28V 系列 256Kb (32K x 8) 3.3V 70ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28 |
| AT27C512R-70PU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| AT24C04D-SSHM-T | 微芯 存储芯片 4Kbit，I2C，1.7V to 3.6V，超低活动电流<1mA，静态电流<0.8uA |
| AT24C01C-SSHM-T | 微芯 存储芯片 1-Kbit(128 x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| W25Q128JVPIQ TR | 存储芯片 IC FLASH 128Mbit 4KB WSON |
| FM25V01A-GTR | 存储芯片 铁电存储器(FRAM)， 128Kbit(16K x 8)SPI， 40MHz， 2V至3.6V电源， SOIC-8 |
| IS61LV25616AL-10BLI | 存储芯片 SRAM， 4 Mbit， 256K x 16位， 3.135V 至 3.63V， Mini BGA， 48 引脚， 10ns |
| CY62146EV30LL-45BVXI | 存储芯片 CY62146EV30 系列 4Mb (256K x 16) 2.2 - 3.6V 45ns 静态 RAM - VFBGA-48 |
| AT25128B-SSHL-T | 微芯 存储芯片 128-Kbit(16K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 5.5V |
| M24512-WDW6TP | 存储芯片 M24512 系列 512Kb (64K x 8) 5V 串行I2C总线 EEPROM 表面贴装 - TSSOP-8 |
| AT24C512C-XHM-T | 微芯 存储芯片 AT24C512C-XHM-T 编带 |
| W25Q32JVZPIQ | 存储芯片 NOR Flash Serial (SPI， Dual SPI， Quad SPI) 3V/3.3V 32M-bit 6ns 8Pin WSON EP |
| 24LC04BT-I/MS | 微芯 存储芯片 4K I2C ™串行EEPROM 4K I2C™ Serial EEPROM |
| W25X40CLUXIG TR | 存储芯片 NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 8ns 8Pin USON EP |
| FM18W08-SG | 存储芯片 FM18W08 Series 256KB (32K x 8) 3.3V 70ns Parallel F-RAM Memory - SOIC-28 |
| FM25L16B-G | 存储芯片 FM25L16B 系列 16Kb (2048 x 8) 串行 3V F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| FM25V05-G | 存储芯片 FRAM 512Kbit Serial-SPI 3V/3.3V 8Pin SOIC Tube |
| FM24CL64B-GTR | 存储芯片 64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 3.6V |
| IS42S16160J-7TLI | 存储芯片 DRAM， 16M x 16bit， 5.4ns， LVTTL接口， TSOP-II-24 |
| W25Q128JVFIQ | 存储芯片 W25Q128JVFIQ 管装 NOR Flash Serial (SPI， Dual SPI， Quad SPI) 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 16Pin SOIC W |
| 11AA010-I/P | 微芯 存储芯片 11AA010 系列 1Kb (128 x 8) 5.5V 通孔 UNI/O® 串行 EEPROM - DIP-8 |
| AT93C46D-PU | 微芯 存储芯片 EEPROM， 串行 3-线， 1Kbit， 128 x 8位 / 64 x 16位， 2MHz， DIP， 8 引脚 |
| CY62128ELL-45ZXIT | 存储芯片 CY62128E 系列 1-Mb (128K x 8) 4.5 - 5.5V 45ns 静态 RAM - TSOP-32 |
| MX25L3206EM2I-12G | 存储芯片 NOR Flash Serial-SPI 3.3V 32M-bit 32M/16M x 1/2Bit 6ns 8Pin SOP |
| 24LC08BT-I/MS | 微芯 存储芯片 MSOP-8-卷盘 8K 1KX8 |
| 11LC160-I/P | 微芯 存储芯片 11LC160 系列 16Kb (2K x 8) 5.5V 通孔 UNI/O® 串行 EEPROM - DIP-8 |
| 24LC024-I/ST | 微芯 存储芯片 24LC024系列 2kb I2C 双线 (256x8位) 2.5V 串行 电可擦除PROM 表面贴装-TSSOP-8 |
| FM25C160B-G | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25C160B-G 芯片， 存储器， FRAM， 16K， SPI， 8SOIC |
| CY62147EV30LL-45BVXI | 存储芯片 4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM宽电压范围： 2.2V至3.6V 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Wide voltage range: 2.2V to 3.6V |
| AT25DF081A-SSH-T | 存储芯片 闪存， Standard， 串行NOR， 8Mbit， SPI， WSOIC-8 AT45DB321E Series 8Mb (1M x 8) 2.7V SMT SPI Serial Flash Memory -SOIC-8 |
| IS61LV6416-10TLI | 存储芯片 SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44Pin TSOP-II |
| 25AA512T-I/SN | 微芯 存储芯片 25AA512系列 512Kb (64 kx8) 1.8V SOIC-8 串行 SPI总线 电可擦除PROM 工业温度 卷盘 |
| IS61WV51216EDBLL-10TLI | 存储芯片 512K x 16 SRAM高速异步CMOS静态RAM存储带有ECC |
| MT47H128M16RT-25E IT:C | 存储芯片 SDRAM， 128M x 16bit， 2.5ns， 并行接口， FBGA-84 DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 84Pin FBGA Tray |
| AT25DF641A-SH-T | 存储芯片 闪存， Standard， 串行NOR， 64Mbit， SPI， WSOIC-8 Flash Serial-SPI 3.3V 64M-bit 8M x 8 5ns 8Pin SOIC EIAJ T/R |
| AT24C04C-PUM | 微芯 存储芯片 4-Kbit(512 x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| 25LC040AT-I/SN | 微芯 存储芯片 25LC040A 系列 4Kb (512 x 8) 5.5V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - SOIC-8 |
| FM24VN10-G | 存储芯片 FM24V 系列 1M 位 (128K x 8) 3V 450us I2C/2 线 表面贴装 F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| FM24C64B-G | 存储芯片 FM24C64B Series 64KB (8K x 8) 5V 3us Serial F-RAM Memory - SOIC-8 |
| IS61WV25616BLL-10TL | 存储芯片 芯片 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44Pin TSOP-II |
| CY7C1021BNV33L-15ZXI | 存储芯片 CY7C1021BNV33 系列 1Mb (64K x 16) 3.3V 15ns 静态RAM - TSOP-44 |
| 24AA32AT-I/SN | 微芯 存储芯片 24AA32A系列 32kb I2C (4 kx8位) 1.7V 串行 电可擦除PROM 表面贴装-SOIC-8 |
| AT25SF081-SSHD-T | 存储芯片 AT25SF081 系列 8M 串行闪存 2.5 - 3.6V 85MHz - SOIC-8 (150-mil) Flash Serial-SPI 3.3V 8M-bit 1M x 8 8ns 8Pin SOIC T/R |
| AT27C040-70PU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| MX25L25635FZ2I-10G | 存储芯片 MX25L 系列 3V 256Mb (x 1/x 2 /x 4) 104MHz 工业级 闪存 - WSON-8 NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2Bit/4Bit 8ns 8Pin WSON EP |
| AT25160B-SSHL-T | 微芯 存储芯片 16-Kbit(2K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 5.5V |
| IS42S16400J-7TLI-TR | 存储芯片 IS42S16400J-7TLI-TR 编带 |
| FM24V05-GTR | 存储芯片 512KB串行3V F-RAM存储器 512Kb Serial 3V F-RAM Memory |
| AT27C020-55JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| W25Q128JVSIQ TR | 存储芯片 W25Q128JVSIQ TR 停产 IC FLASH 128Mbit 4KB 8SOP |
| XCF04SVO20C | 存储芯片 IC PROM IN SYST PRG 3.3V 20TSSOP |
| DS2502+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS2502+ 芯片， 仅添加存储器 1KB， 2502， TO-92-3 |
| AT27C1024-70PU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| BL24C128A-PARC | 存储芯片 BL24C128A-PARC 编带 |
| 93LC66AT-I/ST | 微芯 存储芯片 1K - 16K与Microwire兼容串行EEPROM 1K-16K Microwire Compatible Serial EEPROMs |
| AT27C020-55PU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| CY62148ELL-55SXIT | 存储芯片 CY62148E 系列 4-Mb (512K x 8) 4.5 - 5.5V 55ns 静态 RAM-SOIC-32 SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 55ns 32Pin SOIC T/R |
| DS2502P-E48+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS2502P-E48+. 芯片， EPROM， 48位， SMD， 2502， TO-92-3 |
| 11AA040-I/P | 微芯 存储芯片 11AA040系列 4Kb (512x8) 1.8V PDIP-8 串行 UNI/O 总线 电可擦除 工业温度 |
| CY14E256LA-SZ45XI | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR CY14E256LA-SZ45XI 芯片， 存储器， NVRAM， 256KB， 45NS， 32SOIC |
| DS2502P+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS2502P+ 芯片， 存储器， EEPROM |
| FM24CL64B-G | 存储芯片 RAMTRON FM24CL64B-G 芯片， 存储器， FRAM， 64K， I2C， 8SOIC |
| 11LC080-I/P | 微芯 存储芯片 11LC080 系列 8Kb (1K x 8) 5.5V 通孔 UNI/O® 串行 EEPROM - DIP-8 |
| 24FC64-I/MS | 微芯 存储芯片 24FC64系列 64kb I2C (8 kx8位) 1.7V 串行 电可擦除PROM 表面贴装-MSOP-8 |
| 24LC04BT/SN | 微芯 存储芯片 24LC04 系列 4Kb I2C 2 线 (512 x 8) 2.5V 串行 EEPROM 表面贴装 - SOIC-8 |
| 11LC160-I/MS | 微芯 存储芯片 1K - 16K UNI / O ？串行EEPROM系列数据手册 1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet |
| MX25R8035FZUIL0 | 存储芯片 NOR Flash Serial 1.8V/3.3V 8M-bit 8M/4M/2M x 1/2Bit/4Bit 12ns 8Pin USON EP |
| CY7C1345G-100AXC | 存储芯片 CY7C1345G 系列 4Mb (128K x 36) 100MHz 3.3V 流水线型 同步 SRAM - TQFP-100 |
| M27C512-12F1 | 存储芯片 512千位（ 64K ×8 ） UV EPROM和OTP EPROM 512Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM |
| AT27C010-70PU | 微芯 存储芯片 AT27C010 系列 1Mb (128K x 8) 5V 70ns OTP EPROM - PDIP-32 |
| AT27C080-90PU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| CAT34C02HU4IGT4A | 存储芯片 PROM 串行 I²C，ON Semiconductor### EEPROM 串行存取 - ON Semiconductor |
| AT27C256R-70JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| FM24CL16B-G | 存储芯片 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24CL16B-G 芯片， 存储器， FRAM， 16K， I2C， 8SOIC |
| BQ2022ADBZR | 存储芯片 1K位串行EPROM，SDQ接口 |
| MB85RS16PNF-G-JNERE1 | 存储芯片 16Kbit铁电存储器 |
| MT47H32M16NF-25E:H | 存储芯片 MT47H32M16NF-25E:H 2000/圆盘 |
| FM25V01A-G | 存储芯片 FRAM 128Kbit Serial-SPI 3.3V 8Pin SOIC Tube |
| SST39SF040-70-4C-WHE | 微芯 存储芯片 SST39SF 系列 4Mb 512K x 8 5V 多用途 闪存 - TSOP-32 Flash Parallel 5V 4Mbit 512K x 8Bit 70ns 32Pin TSOP |
| AT27C256R-45JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| 25AA160AT-I/MS | 微芯 存储芯片 25AA160系列 16Kb (2Kx8) 16字节 页 1.8V MSOP-8 串行 SPI总线 电可擦除 工业温度 |
| FM25C160B-GTR | 存储芯片 FM25C160B 系列 16Kb (2K x 8) 5V 表面贴装 SPI F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| DS1230Y-120+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-120+ 芯片， 存储器， NVRAM |
| M24C64-FDW6TP | 存储芯片 M24C64-F 系列 64K (8K x 8) 5.5V 表面贴装 串行 I²C 总线 EEPROM - TSSOP-8 |
| BQ2204ASN | 存储芯片 X4非易失SRAM控制器单元 X4 SRAM Nonvolatile Controller Unit |
| GD25Q16CSIG | 存储芯片 SPI 16M bit 2M Byte引脚兼容W25Q16、M25P16、M25PE16和SST25VF016等常用8脚SPI Flash 3V 16Mb SPI NOR FLASH SOP8 |
| 25LC160AT-I/SN | 微芯 存储芯片 25LC16A系列 |
| MX25L6445EM2I-10G | 存储芯片 NOR Flash Serial 3.3V 64M-bit 64M/32M/16M x 1/2Bit/4Bit 12ns 8Pin SOP |
| 24AA025-I/P | 微芯 存储芯片 2K I2C ™串行EEPROM 2K I2C⑩ Serial EEPROM |
| MX25L1006EMI-10G | 存储芯片 1-Mbit(1M x 1bit/500K x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V NOR Flash Serial 3.3V 1M-bit 1M/512K x 1/2Bit 8ns 8Pin SOP |
| 93LC46AT/SN | 微芯 存储芯片 93LC46系列 1Kb (128x8) 3V SO-8 Microwire 串行 电可擦除 剪切卷带 |
| AT24C02C-SSHM-B | 微芯 存储芯片 EEPROM， 串行I2C (2-线)， 2Kbit， 256 x 8位， 1MHz， SOIC， 8 引脚 |
| AT27C020-90PU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| AT27C256R-45PU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| GD32F103RBT6 | 存储芯片 GD32F103RBT6 托盘 |
| GD25Q80CSIG | 存储芯片 8M SPI闪存 兼容W25Q80 FLASH 带2线Dual，4线QuadSPI总线接口 3V 8Mbits SPI NOR FLASH SOP8 |
| THGBMHG6C1LBAIL | 存储芯片 Flash Card 8G-byte 3.3V Embedded MMC 153Pin WFBGA |
| DS1225AD-150+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-150+ 芯片， 存储器， NVRAM |
| 25LC040A-E/SN | 微芯 存储芯片 25LC040A 系列 4Kb (512 x 8) 5.5V 表面贴装 串行 SPI 总线 EEPROM -SOIC-8 |
| AT24C02C-STUM-T | 微芯 存储芯片 AT24C02C-STUM-T 编带 |
| LPC2368FBD100 | 存储芯片 NXP(恩智浦)/LPC2368FBD100 托盘 Single-chip 16Bit/32Bit microcontrollers; up to 512KB flash with ISP/IAP， Ethernet， USB 2.0， CAN， and |
| AT27C1024-70JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| IS61LV2568L-10TL | 存储芯片 2Mb，High-Speed，Async，256K X 8，10ns，3.3V，44Pin TSOP II， Leadfree |
| 93LC86CT-I/MC | 微芯 存储芯片 93LC86系列 16Kb (1Kx16或2Kx8) 3V DFN-8 Microwire 串行 电可擦除 工业温度 卷盘 |
| 25AA040A-I/P | 微芯 存储芯片 4K SPI总线串行EEPROM 4K SPI Bus Serial EEPROM |
| 25LC512-I/MF | 微芯 存储芯片 25LC512 系列 512K 位 (64Kx8) 2.5V SPI 串行总线 6x5 mm DFN-8 EEPROM |
| M27C256B-12F1 | 存储芯片 256千位（32KB的ΔΣ 8 ） UV EPROM和OTP EPROM 256Kbit (32Kb à 8) UV EPROM and OTP EPROM |
| AT93C56B-SSHM-T | 微芯 存储芯片 AT93C56B-SSHM-T 编带 |
| SST39VF020-70-4C-WHE | 微芯 存储芯片 Flash Parallel 3.3V 2Mbit 256K x 8Bit 70ns 32Pin TSOP |
| 24AA025E48T-I/SN | 微芯 存储芯片 EEPROM， 带EUI-48™， 串行I2C (2-线)， 2Kbit， 2 BLK (128 x 8位)， 400kHz， SOIC， 8 引脚 |
| 11AA010-I/SN | 微芯 存储芯片 MICROCHIP 11AA010-I/SN EEPROM， 1Kbit， 128 x 8位， 100kHz， 串行UNI/O， SOIC， 8 引脚 |
| SST39VF1601-70-4C-B3KE | 微芯 存储芯片 芯片， 2.7V 至 3.6V 16MB 多用于闪存 1M X 16 FLASH 2.7V PROM， 70ns， PBGA48， 6 X 8MM， 0.8MM PITCH， ROHS COMPLIANT， MO-210AB-1， TFBGA-48 |
| BQ2201SN | 存储芯片 TEXAS INSTRUMENTS BQ2201SN 芯片， SRAM非易失性控制器， 8-SOIC |
| 25LC128T-I/ST | 微芯 存储芯片 128K SPI总线 串行EEPROM |
| AT24C32E-SSHM-T | 微芯 存储芯片 32Kbit，I2C，1.7V to 3.6V，超低活动电流<1mA，静态电流<0.8uA |
| 25AA040AT-I/SN | 微芯 存储芯片 25AA04系列 4Kb (512x8) 1.8V SPI总线 SOIC-8 电可擦除PROM 工业温度 卷盘 |
| AT24CM01-SHD-T | 微芯 存储芯片 1-Mbit(131K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| 24AA024-I/MS | 微芯 存储芯片 24AA系列 |
| CY7C1355C-133AXC | 存储芯片 CY7C1355C 9Mb (256 Kx36) 133MHz 3.3V 直通型 NoBL™ SRAM-TQFP-100 |
| MR2A16ACYS35 | 存储芯片 MR2A16 系列 256K x 16 位 3.3V 35ns 异步 MRAM 存储器 - TSOP II-44 |
| M27C1001-12F1 | 存储芯片 IC EPROM 1Mbit 120NS 32CDIP |
| IS62WV5128BLL-55T2LI | 存储芯片 静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器 |
| AT27C1024-45JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| BQ2201SN-NTR | 存储芯片 用于 1 个 SRAM 组的 SRAM 非易失性控制器 IC 8-SOIC -40 to 85 |
| M48Z08-100PC1 | 存储芯片 STMICROELECTRONICS M48Z08-100PC1 芯片， SRAM， ZEROPOWER? 64K |
| FM1808B-SG | 存储芯片 FM1808B 系列 256Kb (32K x 8) 5V 70ns F-RAM 存储器 - SOIC-28 |
| SST26VF032BT-104I/SM | 微芯 存储芯片 32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V Flash Serial 3V 32Mbit 32M x 1Bit 8Pin SOIJ T/R |
| CY7C024AV-25AXC | 存储芯片 3.3V 4K / 8K / 16K X 16/18双端口静态RAM 3.3V 4K/8K/16K x 16/18 Dual-Port Static RAM |
| N25S830HAS22IT | 存储芯片 256KB低功耗串行SRAM的32K 】 8位组织 256Kb Low Power Serial SRAMs 32K × 8bit Organization SRAM Chip Sync Single 3V 256Kbit 32K x 8 25ns 8Pin SOIC N T/R |
| CY7C1018DV33-10VXI | 存储芯片 CY7C1018DV33 系列 1Mb (128K x 8) 3.3V 10ns 静态 RAM - SOJ-32 |
| CY7C1325G-133AXC | 存储芯片 CY7C1325G 系列 4-Mb (256Kx18) 133MHz 3.3V 直通型 同步 SRAM -TQFP-100 |
| GD25Q16CSIGR | 存储芯片 Memory: NOR Flash; 16Mbit; Quad I/O， SPI; 120MHz; 2.7÷3.6V; SOP8 |
| AT25256B-SSHL-B | 微芯 存储芯片 EEPROM， 串行SPI， 256Kbit， 32K x 8位， 3MHz， SOIC， 8 引脚 |
| AT27C4096-90PU | 微芯 存储芯片 AT27C4096 系列 一次性可编程 4Mb ( 256K x 16) 90ns EPROM - PDIP-40 |
| AT27C040-90JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| GD32F103C8T6 | 存储芯片 可完全替代STM32F103C8T6，软件仅需要改动小小部分即可。 最高主频可达108MHz，比市场同类产品提高了50%！ 32Bit Cortex-M3 ARM GD32F103 64KB FLASH |
| 93LC66BT/SN | 微芯 存储芯片 93LC66系列 4Kb (256x16) 3V SO-8 Microwire 串行 电可擦除 卷盘 |
| SST39SF010A-55-4I-NHE | 微芯 存储芯片 SST39SF 系列 5.5V 1Mb (128K x 8) 55ns 多用途 闪存 - PLCC-32 Flash Parallel 5V 1Mbit 128K x 8Bit 55ns 32Pin PLCC |
| MR25H10CDF | 存储芯片 MR25H10 系列 1Mb 128k x 8 3V 串行 SPI 表面贴装 MRAM - DFN-8 |
| 24AA1025T-I/SM | 微芯 存储芯片 24AA1024系列 1Mb 128Kx8 1.8V SOIJ-8 串行 I2C总线 电可擦除PROM 卷盘 |
| 25LC160C-I/SN | 微芯 存储芯片 8 SOIC 0.15英寸 16K 2Kx8 16B |
| IS62WV2568BLL-55TLI | 存储芯片 静态随机存取存储器 2Mb 256Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器 SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32Pin TSOP-I |
| BR93L66F-WE2 | 存储芯片 高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS |
| MX29LV160DTTI-70G | 存储芯片 MX29LV 系列 3V 16Mb (2M x 8/1M x 16) 70ns 并行闪存 - TSOP-48 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48Pin TSOP-I |
| 24AA01T-I/ST | 微芯 存储芯片 8 TSSOP 4.4mm 1K 128x8 卷盘 |
| 25LC640XT-I/ST | 微芯 存储芯片 64K SPI总线串行EEPROM 64K SPI Bus Serial EEPROM |
| CY7C1462AV25-200AXC | 存储芯片 36兆位（ 1M ×36 / 2M ×18 / 512K X 72 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture |
| AS7C4098A-15TCN | 存储芯片 AS7C4098A 系列 4Mb (256K x 16) 5V 15ns CMOS 静态 RAM - TSOP 11-44 |
| AT88SC0104CA-SH | 微芯 存储芯片 1-Kbit(128 x 8bit)，工作电压：2.7V to 3.6V |
| BQ2205LYPWR | 存储芯片 电源监视和开关控制器3.3 -V SRAM POWER MONITORING AND SWITCHING CONTROLLER FOR 3.3-V SRAM |
| 11AA080-I/P | 微芯 存储芯片 11AA080 系列 8Kb (1K x 8) 5.5V 通孔 UNI/O® 串行 EEPROM - DIP-8 |
| FM25040B-G | 存储芯片 FM25040B 系列 4Kb (512 x 8) 串行 5V F-RAM 存储器 - SOIC-8 |
| W25N01GVZEIG TR | 存储芯片 Ic Flash 1gbit 104MHz 8wson |
| MR2A16AYS35 | 存储芯片 MR2A16 系列 256K x 16 位 3.3V 35ns 异步 MRAM 存储器 - TSOP II-44 |
| AT24C64D-MAHM-T | 微芯 存储芯片 电可擦除可编程只读存储器 SERIAL 电可擦除可编程只读存储器 64K 2-WIRE 1.7V |
| 93LC66B-E/SN | 微芯 存储芯片 1K - 16K与Microwire兼容串行EEPROM 1K-16K Microwire Compatible Serial EEPROMs |
| 25LC160BT-E/ST | 微芯 存储芯片 25LC160系列 16kb SPI (2 kx8位) 2.5V 串行电可擦除PROM 表面贴装-TSSOP-8 |
| 24LC08BT-I/MC | 微芯 存储芯片 8K I2C ™串行EEPROM 8K I2C™ Serial EEPROM |
| GD25Q127CSIG | 存储芯片 GD25Q127CSIG 管装 Memory: NOR Flash; 128Mbit; Quad I/O， SPI; 104MHz; 2.7÷3.6V; SOP8 |
| IS61C6416AL-12KLI | 存储芯片 SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ |
| SST25VF080B-50-4I-S2AE | 微芯 存储芯片 SST25VF080B 系列 8Mb (1M x 8) 表面贴装 3.6V SPI 串行 闪存 - SOIC-8 SST25VF080B Series 8Mb (1M x 8) Surface Mount 3.6V SPI Serial Flash - SOIC-8 |
| AS7C1024C-12TJIN | 存储芯片 AS7C1024C 系列 1Mb (128K x 8) 5V 12ns CMOS 静态 RAM - SOJ-32 |
| BQ4013YMA-70 | 存储芯片 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM |
| 24AA014H-I/P | 微芯 存储芯片 MICROCHIP 24AA014H-I/P EEPROM， 1Kbit， 128 x 8位， 400kHz， I2C， DIP， 8 引脚 |
| FM24CL16B-GTR | 存储芯片 16-Kbit(2K x 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.65V |
| AT27C4096-90JU | 微芯 存储芯片 EPROM， 4Mbit， 256K x 16bit， 90ns， 4.5V至5.5V， LCC-44 |
| W29N01HVSINA | 存储芯片 W29N01HVSINA 编带 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8Bit 25ns 48Pin TSOP |
| MT41K512M8DA-107:P | 存储芯片 DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA |
| AT24C16C-PUM | 微芯 存储芯片 16-Kbit (2K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| 93LC66X-I/SN | 微芯 存储芯片 1K / 2K / 4K 2.5V Microwire串行EEPROM 1K/2K/4K 2.5V Microwire Serial EEPROM |
| IS61LV12816L-10TLI | 存储芯片 芯片 |
| MT29F64G08CBABAWP:B | 存储芯片 MLC NAND Flash 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 48Pin |
| W25X40CLSSIG | 存储芯片 NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 8ns 8Pin SOIC |
| CY7C1361C-100AXC | 存储芯片 CY7C1361C 系列 9-Mb (256Kx36) 100MHz 3.3V 直通型 同步 SRAM -TQFP-100 SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 8.5ns 100Pin TQFP Tray |
| 23LC1024-E/ST | 微芯 存储芯片 SRAM Chip Sync Dual 3.3V/5V 1M-Bit 128K x 8 32ns 8Pin TSSOP Tube |
| AT27C020-90JU | 微芯 存储芯片 可擦除可编程ROM OTP 2Mb (256K X 8) 5V - 90NS |
| GD25Q32CSIGR | 存储芯片 Memory: NOR Flash; 32Mbit; Quad I/O， SPI; 120MHz; 2.7÷3.6V; SOP8 |
| DS1210S+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1210S+ 芯片， RAM控制器， SMD， 1210， SOIC16 新 |
| 25AA080A-I/MS | 微芯 存储芯片 25AA080A 系列 8Kb (1K x 8) 5.5V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - MSOP-8 |
| SST39VF1601-70-4I-EKE-T | 微芯 存储芯片 16MbitNORflash芯片 NOR Flash Parallel 3.3V 16Mbit 1M x 16Bit 70ns 48Pin TSOP T/R |
| AT27C512R-45JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| AT27C2048-90JU | 微芯 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| W631GG6KB-15 | 存储芯片 1-Gbit(64M x 16bit)，工作电压：1.5V±0.075V |
| W29GL128CH9T | 存储芯片 128-Mbit(16M x 8bit)，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6V NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 128M x 1 100ns 56Pin TSOP |
| MT41K512M8RH-125:E | 存储芯片 DDR3 512Mx8， 1600MHz， FBGA78， 1.35V/1.5V， leadfree |
| FM18W08-SGTR | 存储芯片 FM18W08 系列 256Kb (32K x 8) 3.3V 70ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28 |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF-T | 微芯 存储芯片 SST25VF系列 16Mb 2 Mx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-8 SST25VF Series 16Mbit 2M x 8 3V 50NS SMT SPI Serial Flash - SOIC-8 |
| MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 | 存储芯片 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 编带 Ic Fram 1Mbit 3.4MHz 8sop |
| 25AA128T-I/SN | 微芯 存储芯片 25AA128系列 128Kb (16Kx8) 1.8V SOIC-8 串行 SPI总线 电可擦除PROM 工业温度 卷盘 |
| 25LC010A-I/MS | 微芯 存储芯片 1K SPI总线串行EEPROM 1K SPI Bus Serial EEPROM |
| M27C4001-12F1 | 存储芯片 4兆位（ 512KB ×8） UV EPROM和OTP EPROM 4 Mbit (512Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM IC EPROM 4Mbit 120NS 32CDIP |
| MT29F1G08ABADAWP-IT:D | 存储芯片 1-Gbit(128M x 8bit)，并行接口，工作电压：2.7V to 3.6V SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8Bit 48Pin TSOP-I Tray |
| U62256ADK07LLG1 | 存储芯片 U6264B 系列 64-kb (8K x 8) 5V 70ns CMOS 静态 RAM -PDIP-28 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 70ns 28Pin PDIP Tube |
| 93C56B-I/ST | 微芯 存储芯片 1K - 16K与Microwire兼容串行EEPROM 1K-16K Microwire Compatible Serial EEPROMs |
| M27C1001-10F1 | 存储芯片 IC EPROM 1Mbit 100NS 32CDIP |
| 93AA46BX-I/SN | 微芯 存储芯片 1K的Microwire兼容串行EEPROM 1K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| DS1230AB-100+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-100+ 芯片， 存储器， NVRAM |
| MX29LV160DBTI-70G | 存储芯片 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 2M/1M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TSOP-I |
| AS6C62256-55SIN | 存储芯片 AS6C62256 系列 256-kb (32K x 8) 3.3V 55ns CMOS 静态 RAM - SOIC-28 SRAM Chip Async Single 3.3V 256Kbit 32K x 8 55ns 28Pin SOP |
| IS43DR16640B-3DBLI | 存储芯片 IS43DR16640B-3DBLI 托盘 |
| CY62128EV30LL-45ZAXIT | 存储芯片 CY62128EV30 系列 1Mb (128K × 8) 表面贴装 静态 RAM - STSOP-32 |
| MXD1210CSA+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS MXD1210CSA+ 芯片， 控制器， 存储器 IC CNTRLR NONVOLATILE RAM 8-SOIC |
| W9425G6KH-5 | 存储芯片 DDR/W9425G6KH-5 托盘 DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP-II |
| AT27C020-55PU | 存储芯片 EPROM（一次性可编程），Atmel### EPROM OTP（一次性可编程）这些 EPROM（可擦除可编程只读存储器）设备包含相同的芯片，并用与其 UV 可擦除同类产品相同的方法进行编程。 但是，由于封装不包含窗口，它们不可擦除且不可重新编程。 |
| AT25512N-SH-B | 微芯 存储芯片 512-Kbit(64K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 5.5V |
| MB85RC64PNF-G-JNERE1 | 存储芯片 64Kbit铁电存储器 |
| SST25VF080B-50-4C-S2AF-T | 微芯 存储芯片 SST25VF系列 8Mb 1 Mx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-8 Flash Serial-SPI 3.3V 8Mbit 1M x 8Bit 8ns 8Pin SOIC T/R |
| MB85R1002ANC-GE1 | 存储芯片 1Mbit铁电存储器 |
| 93LC56BT-I/ST | 微芯 存储芯片 93LC56系列 2Kb (128x16) 3V TSSOP-8 Microwire 串行 电可擦除 工业温度 卷盘 |
| 93C56B-E/SN | 微芯 存储芯片 93C56B 系列 2Kb (128 x 16) 5.5V Microwire 兼容 串行 EEPROM -SOIC-8 |
| DS1230Y-70IND+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70IND+ 芯片， 存储器， NVRAM Maxim DS1230Y-70IND+ SRAM Memory Chip， 256Kbit， 4.5 → 5.5V， 70ns 28Pin EDIP |
| DS1225AD-85+ | 存储芯片 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-85+ 芯片， 存储器， NVRAM Maxim DS1225AD-85+ SRAM Memory Chip， 64Kbit， 4.5 → 5.5V， 70ns 28Pin EDIP |
| MX25L3206EZUI-12G | 存储芯片 MX25L系列 3V 32Mb (x 1/x 2) 86MHz 工业级 串行闪存-USON-8 NOR Flash Serial-SPI 3.3V 32M-bit 32M/16M x 1/2Bit 6ns 8Pin USON EP |
| IS42S16320F-7TLI | 存储芯片 SDRAM， 32M x 16bit， 5.4ns， 并行接口， TSOP-II-54 |
| FM25L16B-GTR | 存储芯片 16-Kbit(2K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V |
| CY7C1069AV33-10ZXC | 存储芯片 2M ×8静态RAM 2M x 8 Static RAM SRAM Chip Async Single 3.3V 16M-Bit 2M x 8 10ns 54Pin TSOP-II |
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